TRANSISTOR NPN GP 40V SOT-223

Fairchild Semiconductor

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1.5A,电压 - 集射极击穿（最大值）:40V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A,电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO）,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:50 @ 1A，1V,功率 - 最大值:1W,频率 - 跃迁:-,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA,供应商器件封装:SOT-223-3

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